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PI Curing设备变更公告(1)

   日期:2024-04-30     来源:中国电力招标    作者:dlztb    浏览:0    
核心提示:各投标11) *颗粒控制20 @0.5um12) *Wafer材质兼容Si,EMC,bonding等13) *Boat可旋转14) *设备在先进封装领域(WLCSP/Bumping/2.

各投标

11) *颗粒控制<20 @0.5um

12) *Wafer材质兼容Si,EMC,bonding等

13) *Boat可旋转

14) *设备在先进封装领域(WLCSP/Bumping/2.5D/3D封装)具有量产经验,装机量≥2台

15) 具备快速降温能力”

修改为:

三、设备技术指标

PI Curing炉要求能够达到如下性能指标:

1)*适用200mm notch晶圆工艺,可cover晶圆厚度400~2000um

2)*支持wafer翘曲度≤±3mm

3)*温度控制精度:±1℃(150℃~600℃)

4)*Process chamber含氧量控制:≤10ppm

5)*需配备Gas管路: O2,N2

6)*Batch size ≥75片

7)*MTBF大于250小时,uptime ≥90%

8)*Wafer Breakage Rate≤1/10000pcs

9)  *Wafer材质兼容Si,EMC,bonding等。

10)  *颗粒控制<20 @0.5um

11)  *Wafer材质兼容Si,EMC,bonding等

12)  *设备在先进封装领域(WLCSP/Bumping/2.5D/3D封装)具有量产经验,装机量≥2台

13)  具备快速降温能力

3、
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来源:中国电力招标采购网
备注:欲购买招标文件的潜在投标人,注册网站并缴纳因特网技术及商务信息服务费后,查看项目业主,招标公告并下载资格预审范围,资质要求,
招标清单,报名申请表等。为保证您能够顺利投标,具体要求及购买标书操作流程按会员区招标信息详细内容为准。
编辑:mofcom

 
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